[发明专利]鳍片式二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍片式二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

衬底；

在所述衬底上的第一组鳍片、第二组鳍片、以及位于所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的之间的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的上表面；以及

阱区，部分地在所述衬底中且与所述第一组鳍片和所述第二组鳍片交叠，或者，全部地在所述衬底中且与所述第一组鳍片和所述第二组鳍片邻接；

在所述第一组鳍片和所述第二组鳍片位于所述隔离区以上的部分的表面上形成电介质层；

形成伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述第二组鳍片的端部上的电介质层以及所述隔离区的上表面或部分上表面；

对所述第一组鳍片的至少一部分进行第一掺杂，以形成第一掺杂区；以及

以所述伪栅结构为掩模对所述第二组鳍片和所述第二组鳍片下的阱区的一部分进行第二掺杂，以形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型不同，所述第一掺杂区与所述阱区的导电类型相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅结构覆盖所述隔离区的上表面，并且还覆盖所述第一组鳍片的端部上的电介质层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅结构包括：

伪栅，覆盖所述第二组鳍片的端部上的电介质层以及所述隔离区的上表面或部分上表面；

在所述伪栅上的硬掩模层；以及

在所述硬掩模层的上表面和侧面、以及所述伪栅的侧面上的间隔物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区与所述阱区邻接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述第一掺杂区的一部分进行刻蚀，以形成第一凹陷；以及

在所述第一凹陷中外延生长第一半导体材料，以形成第一外延区。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述第二掺杂区的一部分进行刻蚀，以形成第二凹陷；以及

在所述第二凹陷中外延生长第二半导体材料，以形成第二外延区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供衬底结构的步骤包括：

提供初始衬底结构，所述初始衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一组鳍片和第二组鳍片；以及覆盖所述衬底、所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的隔离材料层；

对所述初始衬底结构的一部分进行掺杂，以形成所述阱区；以及

去除所述隔离材料层的一部分，以使得所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的一部分露出，从而形成所述隔离区。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一组鳍片包括多个第一鳍片；

所述第二组鳍片包括多个第二鳍片。