[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710309534.6 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN106935657B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置,属于半导体领域。该薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层,其中,源极、漏极和栅极间隔设置在第一有源层上,栅极位于源极和漏极之间,第二有源层设置在栅极、源极和漏极上,源极和漏极均与第一有源层和第二有源层连接,栅极分别与第一有源层、第二有源层、源极和漏极绝缘,在栅极上施加电压时,源极和漏极可以通过第一有源层导通,源极和漏极还可以通过第二有源层导通,由于源极和漏极在薄膜晶体管导通时,可以同时通过第一有源层和第二有源层导通,因此源极和漏极之间可以流通更大的电流,从而可以增大薄膜晶体管的开态电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层,其中,所述源极、所述漏极和所述栅极间隔设置在所述第一有源层上,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间,所述第二有源层设置在所述栅极、所述源极和所述漏极上,所述源极和所述漏极均与所述第一有源层和所述第二有源层连接,所述栅极分别与所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极绝缘。
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