[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层，其中，所述源极、所述漏极和所述栅极间隔设置在所述第一有源层上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述第二有源层设置在所述栅极、所述源极和所述漏极上，所述源极和所述漏极均与所述第一有源层和所述第二有源层连接，所述栅极分别与所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极绝缘，所述第二有源层与所述第一有源层直接连接，将所述源极和所述漏极包裹在所述第一有源层和所述第二有源层中。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括绝缘层，所述绝缘层包裹在所述栅极外。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一有源层上，且所述第一栅极绝缘层位于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极绝缘层上设置有凹槽，所述栅极设置在所述凹槽中，所述第二栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述第二有源层设置在所述源极和所述漏极之间。

4.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层由硅基材料或氧化锌基材料制成，所述第二有源层由硅基材料或氧化锌基材料制成。

5.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层的厚度为30nm～70nm，所述第二有源层的厚度为30nm～70nm。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底基板上形成第一有源层、源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极和所述栅极间隔设置在所述第一有源层上，且在平行于所述衬底基板的方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；

在所述栅极、所述源极和所述漏极上形成第二有源层；

其中，所述源极和所述漏极均与所述第一有源层和所述第二有源层连接，所述栅极分别与所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极绝缘，

所述第二有源层与所述第一有源层直接连接，将所述源极和所述漏极包裹在所述第一有源层和所述第二有源层中。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一有源层、源极、漏极和栅极，包括：

在所述衬底基板上依次形成所述第一有源层和源漏金属层，在所述源漏金属层上形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述源漏金属层的厚度；

对所述凹槽的槽底和侧壁进行氧化处理，以形成所述源极、所述漏极和第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层隔开所述源极和所述漏极；

在所述凹槽内形成所述栅极；

在所述栅极上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述源极和所述漏极之间。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一有源层、源极、漏极和栅极，包括：

在所述衬底基板上依次形成所述第一有源层和第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一有源层上且所述第一栅极绝缘层上开设有凹槽；

在所述第一有源层和所述第一栅极绝缘层上形成电极材料膜层；

对所述电极材料膜层进行图形化处理，以在所述第一有源层上形成所述源极和所述漏极并在所述凹槽中形成所述栅极，在平行于所述衬底基板的方向上，所述第一栅极绝缘层位于所述源极和所述漏极之间；

在所述栅极上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述源极和所述漏极之间。