[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置，属于半导体领域。该薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层，其中，源极、漏极和栅极间隔设置在第一有源层上，栅极位于源极和漏极之间，第二有源层设置在栅极、源极和漏极上，源极和漏极均与第一有源层和第二有源层连接，栅极分别与第一有源层、第二有源层、源极和漏极绝缘，在栅极上施加电压时，源极和漏极可以通过第一有源层导通，源极和漏极还可以通过第二有源层导通，由于源极和漏极在薄膜晶体管导通时，可以同时通过第一有源层和第二有源层导通，因此源极和漏极之间可以流通更大的电流，从而可以增大薄膜晶体管的开态电流。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置。

背景技术

目前常见的显示装置包括被动发光显示装置(如液晶显示装置)和主动发光显示装置(如OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置)两大类，由于主动发光显示装置不需要设置背光板，相比被动发光显示装置具有厚度小，功耗低，响应速度快等优势，因此主动发光显示装置具有更大的市场竞争力。

OLED显示装置包括多个OLED，每一个OLED都与一个薄膜晶体管连接，通过控制薄膜晶体管的通断可以控制OLED的点亮和熄灭，通过调节薄膜晶体管的开态电流(即薄膜晶体管正向导通时的电流)的大小，可以实现OLED的亮度调节。

为了可以得到更大的开态电流，现有的薄膜晶体管通常会增大有源层的面积，这导致薄膜晶体管的体积较大，而薄膜晶体管体积越大，遮挡的光越多，会导致显示装置的开口率降低，从而影响到显示装置的亮度。

发明内容

为了解决如何在不增大薄膜晶体管的体积的同时提高薄膜晶体管的开态电流的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层，其中，所述源极、所述漏极和所述栅极间隔设置在所述第一有源层上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述第二有源层设置在所述栅极、所述源极和所述漏极上，所述源极和所述漏极均与所述第一有源层和所述第二有源层连接，所述栅极分别与所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极绝缘。

优选地，所述薄膜晶体管还包括绝缘层，所述绝缘层包裹在所述栅极外。

优选地，所述绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一有源层上，且所述第一栅极绝缘层位于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极绝缘层上设置有凹槽，所述栅极设置在所述凹槽中，所述第二栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述第二有源层设置在所述源极和所述漏极之间。

可选地，所述第二有源层与所述第一有源层相连接。

可选地，所述第一有源层由硅基材料或氧化锌基材料制成，所述第二有源层由硅基材料或氧化锌基材料制成。

优选地，所述第一有源层的厚度为30nm～70nm，所述第二有源层的厚度为30nm～70nm。

另一方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述制造方法包括：

在衬底基板上形成第一有源层、源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极和所述栅极间隔设置在所述第一有源层上，且在平行于所述衬底基板的方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；

在所述栅极、所述源极和所述漏极上形成第二有源层；

其中，所述源极和所述漏极均与所述第一有源层和所述第二有源层连接，所述栅极分别与所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极绝缘。

优选地，所述在衬底基板上形成第一有源层、源极、漏极和栅极，包括：