[发明专利]太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 201710309326.6 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108831953B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 何川;金光耀;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅或非晶硅；步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅或非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；步骤S6：在重掺杂区上形成电极。本发明通过选择性掺杂多晶硅，使得金属形成于较厚的多晶硅上，由此降低了金属和半导体接触的复合，同时较薄的多晶硅则用于透光，实现了钝化效果和透光的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制作方法，该太阳能电池包括一第一导电类型衬底，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅或非晶硅；步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅或非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；步骤S6：在重掺杂区上形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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