[发明专利]太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，该太阳能电池包括一第一导电类型衬底，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；

步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅；

步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；

步骤S4：热处理步骤S3所得的结构；

步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；

步骤S6：在重掺杂区上形成电极，

其中，步骤S3包括以下步骤：

步骤S31：设置阻挡层，该阻挡层包括镂空区域，该阻挡层设置于束流和工件传输装置之间，该束流的传输方向垂直于该工件传输装置的传输平面；

步骤S32：工件传输装置传输步骤S2所得的待注入结构通过束流以通过离子注入形成选择性掺杂，

其中该镂空区域用于形成该重掺杂区，束流在该传输平面上的投影与入口端的该镂空区域在该传输平面上的投影部分重叠，该入口端为该镂空区域的靠近待注入结构的一端，

步骤S5中碱性试剂对重掺杂区和轻掺杂区的刻蚀速率之比为1：5-1：100。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S5蚀刻后轻掺杂的多晶硅的厚度小于10nm。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S5蚀刻后重掺杂的多晶硅的厚度为10nm-300nm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S1之前还包括：

步骤S0：在该第一导电类型衬底的一表面中形成第二导电类型掺杂层；

步骤S1：在该第二导电类型掺杂层上形成该氧化层。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，步骤S3中重掺杂区的离子注入剂量为1e15-2e16/cm²。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，步骤S3中轻掺杂区的离子注入剂量为1e14-5e15/cm²。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，步骤S4中热处理在700℃-1000℃、氮气和/或氧气气氛下进行，热处理时间1-60分钟。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，步骤S5中碱性试剂为NaOH、KOH或TMAH。

9.一种太阳能电池的制作方法，该太阳能电池包括一第一导电类型衬底，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；

步骤S2：在该氧化层上形成非晶硅；

步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；

步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；

步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；

步骤S6：在重掺杂区上形成电极，

其中，步骤S3包括以下步骤：

步骤S31：设置阻挡层，该阻挡层包括镂空区域，该阻挡层设置于束流和工件传输装置之间，该束流的传输方向垂直于该工件传输装置的传输平面；

步骤S32：工件传输装置传输步骤S2所得的待注入结构通过束流以通过离子注入形成选择性掺杂，

其中该镂空区域用于形成该重掺杂区，束流在该传输平面上的投影与入口端的该镂空区域在该传输平面上的投影部分重叠，该入口端为该镂空区域的靠近待注入结构的一端，

步骤S5中碱性试剂对重掺杂区和轻掺杂区的刻蚀速率之比为1：5-1：100。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，步骤S5蚀刻后轻掺杂的多晶硅的厚度小于10nm。