[发明专利]太阳能电池的制作方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅或非晶硅；步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅或非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；步骤S6：在重掺杂区上形成电极。本发明通过选择性掺杂多晶硅，使得金属形成于较厚的多晶硅上，由此降低了金属和半导体接触的复合，同时较薄的多晶硅则用于透光，实现了钝化效果和透光的平衡。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制作方法，特别是涉及一种钝化效果和透光效果均较佳的太阳能电池的制作方法。

背景技术

无论哪种太阳能电池，在PN结构的掺杂完成后，金属化之前，都需要做表面钝化，通常钝化层可以采用氧化物或者氮化物来实现。形成钝化层之后，在钝化层上沉积金属最后烧结，使得金属和硅衬底形成接触。但是这种类型的钝化层在形成电极后，金属和硅衬底的接触位置处复合会比较大，由此影响了太阳能电池的开压和转换效率。

为此，业内提出采用多晶硅材料来代替氧化物或氮化物，但是这又造成了新的问题，多晶硅材料的吸光很严重，如果受光面采用多晶硅作为钝化层，虽能改善钝化效果，减少金属半导体接触位置的复合，但是由于多晶硅吸光严重，又减少了太阳光的利用率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术氧化物或氮化物作为钝化层时金属和半导体接触位置复合较大以及采用多晶硅作为钝化层时吸光较多的缺陷，提供一种能够兼顾钝化效果和吸光程度的太阳能电池的制作方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

一种太阳能电池的制作方法，该太阳能电池包括一第一导电类型衬底，其特点在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤S1：在该第一导电类型衬底的一表面上形成氧化层；

步骤S2：在该氧化层上形成多晶硅或非晶硅；

步骤S3：采用第二导电类型掺杂元素对该多晶硅或非晶硅进行选择性掺杂以形成重掺杂区和轻掺杂区；

步骤S4：热处理步骤S3所得的结构，使得非晶硅转化为多晶硅；

步骤S5：采用碱性试剂选择性蚀刻步骤S4所得的多晶硅；

步骤S6：在重掺杂区上形成电极。

由于多晶硅吸收光很严重，超过10nm的重掺杂的多晶硅层会导致短路电流和效率降低。而较薄的多晶硅由于掺杂过程的原因，容易损伤氧化层，造成钝化效果的下降。并且薄的多晶硅层在高温烧结形成金属半导体接触的时候容易被烧穿，造成电池短路等问题。本发明先形成较厚的多晶硅层，然后对多晶硅层进行选择性掺杂形成重掺区域和轻掺区域。由于碱性试剂对多晶硅的刻蚀速率随着掺杂浓度的升高而降低，通过控制重掺区域和轻掺区域的掺杂浓度，可以对多晶硅层进行选择性刻蚀。因此本发明通过选择性掺杂和刻蚀多晶硅，使得金属形成于较厚的多晶硅(重掺杂的多晶硅)上，由此降低了金属和半导体接触的复合，同时较薄的多晶硅(轻掺杂的多晶硅)则用于透光，实现了钝化效果和透光的平衡。

优选地，步骤S5蚀刻后轻掺杂的多晶硅的厚度小于10nm。

优选地，步骤S5蚀刻后重掺杂的多晶硅的厚度为10nm-300nm。

优选地，步骤S1之前还包括：

步骤S0：在该第一导电类型衬底的一表面中形成第二导电类型掺杂层；

步骤S1：在该第二导电类型掺杂层上形成该氧化层。

优选地，步骤S3包括以下步骤：