[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201710307274.9 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107068770B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而改善薄膜晶体管的光照稳定性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层的厚度使得通过所述缓冲层入射的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域；/n薄膜晶体管还包括：位于所述沟道区域之上的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层之上的栅极，位于所述栅极、所述第一导体化区域、所述第二导体化区域、所述缓冲层和所遮光层之上的层间绝缘层，以及位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极；其中，所述层间绝缘层包括在一次刻蚀工艺中形成的第一过孔、第二过孔以及第三过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述漏极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；或者，所述漏极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述源极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接。/n
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