[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而改善薄膜晶体管的光照稳定性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层的厚度使得通过所述缓冲层入射的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

顶栅结构的氧化物薄膜晶体管(TFT)栅极与源极和漏极不存在交叠区域，因而其具有较小的寄生电容(Cgs)，从而可以应用于具有高分辨率和高刷新频率、窄边框、低功耗的大尺寸有机发光二极管(OLED)显示产品。但是由于氧化物TFT中的氧化物对光照敏感，在光照下TFT沟道区域的氧化物的电学特性会发生变化，对于顶栅结构的氧化物TFT而言，由于缺少了底栅对TFT的沟道区域的遮挡，TFT容易发生较大的阈值电压(V_TH)漂移，超出了补偿电路的补偿范围，造成显示画面出现残像等问题，因此，在制作顶栅结构的氧化物TFT时通常在面板上制作一层遮光层进行遮光，如图1所示，现有技术中顶栅结构的氧化物TFT结构包括：遮光层1、氧化硅层2、第一导体化区域3、沟道区域4、第二导体化区域5、栅绝缘层6、栅极7、层间绝缘层8、源极9以及漏极10。其中，图中箭头代表光路方向，氧化硅层作为缓冲层，光可以通过氧化硅层。现有技术中，氧化硅层整层设置并且其厚度较厚，设置遮光层只能遮挡垂直于遮光层方向入射到沟道区域的光，非垂直于遮光层方向上的光仍然可以从氧化硅层的侧面入射到沟道区域，影响沟道区氧化物的电学特性。

综上，现有技术的顶栅结构氧化物TFT，对沟道区域的遮光效果较差，TFT的工作稳定性差。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以增强对薄膜晶体管的沟道区域的遮光效果，从而改善薄膜晶体管的光照稳定性，提高薄膜晶体管的工作稳定性。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，由于所述缓冲层的厚度使得入射到缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域，即改变所述缓冲层的厚度，从而使得入射到半导体层的光完全被遮住，从而使得光线无法通过缓冲层入射到半导体层的沟道区域，从而可以增强对薄膜晶体管沟道区域的遮光效果，提高薄膜晶体管的光照稳定性，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。

较佳地，所述遮光层的材料包括钼铌合金，所述缓冲层的材料包括氧化铝。

较佳地，所述氧化铝是铝钕合金通过阳极氧化处理形成的。

较佳地，所述缓冲层的厚度在100nm～200nm范围内。

较佳地，在平行于所述缓冲层的方向上，所述缓冲层的尺寸小于所述遮光层的尺寸。