[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：遮光层和位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的半导体层，所述半导体层包括三部分区域：第一导体化区域、沟道区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层使得入射到所述缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域；

薄膜晶体管还包括：位于所述沟道区域之上的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层之上的栅极，位于所述栅极、所述第一导体化区域、所述第二导体化区域、所述缓冲层和所遮光层之上的层间绝缘层，以及位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极；其中，所述层间绝缘层包括在一次刻蚀工艺中形成的第一过孔、第二过孔以及第三过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述漏极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；或者，所述漏极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述源极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的材料包括钼铌合金，所述缓冲层的材料包括氧化铝。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铝是铝钕合金通过阳极氧化处理形成的。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度在100nm～200nm范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在平行于所述缓冲层的方向上，所述缓冲层的尺寸小于所述遮光层的尺寸。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～5任一权利要求所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。

8.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，该方法包括：

在玻璃基板上设置遮光层；

在所述遮光层之上设置缓冲层；

在所述缓冲层之上设置半导体层；

所述半导体层包括三部分区域：沟道区域，经过导体化处理形成的第一导体化区域以及第二导体化区域，在平行于所述半导体层的方向上，所述沟道区域位于所述第一导体化区域与所述第二导体化区域之间；其中，所述缓冲层的使得入射到缓冲层的光，无法影响所述第一导体化区域、沟道区域和所述第二导体化区域；

所述缓冲层之上设置半导体层之后，该方法还包括：

形成位于所述沟道区域之上的栅绝缘层，形成位于所述栅绝缘层之上的栅极，形成位于所述栅极、所述第一导体化区域、所述第二导体化区域、所述缓冲层和所遮光层之上的层间绝缘层，以及形成位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极；

其中，所述层间绝缘层包括在一次刻蚀工艺中形成的第一过孔、第二过孔以及第三过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述漏极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；或者，所述漏极通过所述第一过孔与所述第一导体化区域连接，所述源极通过所述第二过孔与所述第二导体化区域连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在玻璃基板上设置遮光层具体包括：在玻璃基板上沉积钼铌合金，在所述钼铌合金之上沉积铝钕合金，进行图形化处理，得到钼铌合金层和铝钕合金层；

在所述遮光层之上设置缓冲层具体包括：采用阳极氧化工艺对铝钕合金进行处理，得到氧化铝。