[发明专利]一种光电混频HEMT及其控制方法

摘要

本发明公开了一种光电混频HEMT，包括最下层的衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、光吸收层、第二沟道层、第二隔离层、第二势垒层；在所述量子阱有源层的外表面设置源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极的中间，源极和漏极为欧姆接触。本发明有效缩短了空穴的运动距离，并且消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷，从而可以大大提升光电混频HEMT的频率特性。

主权项

1.一种光电混频HEMT，其特征在于：包括最下层的衬底(1)，衬底上生长缓冲层(2)，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层(8)、第一隔离层(7)、第一沟道层(6)、光吸收层(12)、第二沟道层(5)、第二隔离层(4)、第二势垒层(3)；所述第二沟道层(5)的禁带宽度均大于第一沟道层(6)和光吸收层(12)的禁带宽度；在所述量子阱有源层的外表面设置源极(10)、漏极(11)和栅极(9)，栅极(9)位于源极(10)和漏极(11)的中间，源极(10)和漏极(11)为欧姆接触；第一势垒层(8)和第二势垒层(3)为δ掺杂型；第一沟道层(6)为和第二沟道层(5)均为耗尽型或均为增强型。