[发明专利]一种无掺杂钙钛矿太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710303195.0 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107134530A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王奉友;杨丽丽;杨景海;隋瑛锐 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 李泉宏 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无掺杂钙钛矿太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，该方法在导电衬底S上依次制备电子传输层E、钙钛矿有源层材料P、空穴传输层材料H、透明导电薄膜T以及金属电极M。利用无掺杂空穴(电子)传输层与钙钛矿有源层之间的功函数之差形成界面反型层，产生空穴(电子)选择收集的效果。上述钙钛矿太阳电池不涉及掺杂工艺，且H与T皆具有高透过、低寄生光吸收的特性，可有效降低器件缺陷态密度、提升器件稳定性与光谱相应，且制备方法简单，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
无掺杂钙钛矿太阳电池，其特征在于，依次由金属电极M、透明电极T、空穴传输层H、钙钛矿有源层P、电子传输层E、导电衬底S组成。其中，所述导电衬底S为金属薄片、镀有金属的玻璃或聚合物衬底；空穴传输层H为氧化钼、氧化镍、氧化钒和氧化钨中的一种或多种组合，厚度为2～50nm，光学带隙宽度为2.5～4.5eV；电子传输层E为氟化锂、碳酸铯、氧化镁和氟化镁中的一种或多种组合，厚度为1～50nm；透明电极T为金纳米线、银纳米线或两种的组合，厚度为10～100nm；钙钛矿有源层P厚度为30～300nm；金属电极的厚度为500～1000nm。
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