[发明专利]具有屏蔽MEMS装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法有效
| 申请号： | 201710295681.2 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107416757B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | H·坎帕内拉-皮内达;R·库马尔;Z·斯比阿;N·兰加纳坦;R·P·耶勒汉卡 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 mems 装置 集成电路 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有屏蔽微机电系统装置的集成电路，其包含：基板；接地平面，其在该基板上方包括导电材料；介电层，其在该接地平面上方；微机电系统装置，其在该接地平面上方；第一导电柱，其穿过该介电层且与该接地平面接触；第二导电柱，其穿过该介电层且与该接地平面接触，其中，该微机电系统装置位于该第一导电柱与该第二导电柱之间；金属屏蔽层，其在该微机电系统装置上方且与该第一导电柱及该第二导电柱接触，其中该金属屏蔽层、该第一导电柱、该第二导电柱及该接地平面形成包围该微机电系统装置的电磁屏蔽结构；以及声学屏蔽结构，其在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构。
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