[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710292879.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807533B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王琮玄;陈侃升;吴信霖;周永隆;魏云洲;李家豪;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦;孙乳笋 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，装置包括设置于半导体基板上的栅极结构、设置于上述栅极结构侧壁上的侧壁间隔物、形成于上述栅极结构两侧的半导体基板中的轻掺杂源极/漏极区、形成于上述侧壁间隔物两侧的半导体基板中的源极/漏极区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且邻近于上述轻掺杂源极/漏极区的晕状植入(halo implant)区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且位于上述轻掺杂源极/漏极区及晕状植入区之间的反向掺杂区(counter‑doping region)。上述反向掺杂区的掺杂浓度低于晕状植入区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括:一半导体基板；一栅极结构，设置于所述半导体基板之上；一侧壁间隔物，设置于所述栅极结构的侧壁上；一轻掺杂源极/漏极区，形成于所述栅极结构两侧的半导体基板中；一源极/漏极区，形成于所述侧壁间隔物两侧的半导体基板中；一晕状植入区，形成于所述栅极结构下的半导体基板中且邻近于所述轻掺杂源极/漏极区；以及一反向掺杂区，形成于所述栅极结构下的半导体基板中且位于所述轻掺杂源极/漏极区及所述晕状植入区之间；其中所述反向掺杂区的掺杂浓度低于所述晕状植入区的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710292879.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
