[发明专利]使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底有效
| 申请号： | 201710291502.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107464747B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;余珍意;理查德·怀斯;内德·莎玛;潘阳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 ale 选择性 沉积 蚀刻 衬底 | ||
【主权项】：
一种处理衬底的方法，所述方法包括：(a)使包含第一含碳材料的衬底暴露于氧化剂，并以第一偏置功率点燃第一等离子体，以使所述第一含碳材料的表面改性；以及(b)使经改性的所述层暴露于第二偏置功率下的第二等离子体，并持续足以在不溅射的情况下除去经改性的所述表面的持续时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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