[发明专利]一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710281827.8 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107039558B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 高志远;赵立欢;薛晓玮;张洁;邹德恕 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 纳米 阵列 调制 algan gan 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
