[发明专利]制造碳化硅单晶的装置

摘要

一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。

主权项

一种制造碳化硅单晶(20)的装置，其通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：圆柱形管状加热容器(8)，其具有限定反应腔的内壁表面；基部(9)，其定位于加热容器的反应腔中并且具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；第一净化气体入口(8b)，其设置于加热容器的内壁以引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动；净化气体源(14)，其用于将净化气体供应至第一净化气体入口；第二净化气体入口(93)，其设置于基部的外壁以引起净化气体沿着基部的外壁表面流动；净化气体导入机构(11)，其用于支撑基部以及用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部；以及具有环形形状的第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)，其中净化气体导入机构(11)具有管道元件(11a)，净化气体通过管道元件(11a)供应至基部(9)，基部(9)包括结合至管道元件(11a)的结合部分(91)以及籽晶安装于此的安装部分(92)，管道元件(11a)、结合部分(91)或安装部分(92)具有所述第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)，第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)与结合部分(91)或安装部分(92)的外壁表面间隔开以在其间形成第二净化气体入口，净化气体通过第一净化气体入口(8b)在与原料气体(3)的流动方向相同的方向上排出，以及净化气体通过第二净化气体入口(93)在与原料气体(3)的流动方向相同的方向上排出，第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)的内壁表面平行于结合部分(91)或安装部分(92)的外壁表面，以及第二导向部分(11b、91c、92b、92e、96)的内壁表面与结合部分(91)或安装部分(92)的外壁表面之间的间隙限定所述第二净化气体入口(93)。