[发明专利]基于高阻盖帽层的Ⅲ族氮化物极化超结HEMT器件及其制法

摘要

本发明公开了一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件及制法，所述器件包括第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体上的第三半导体，所述第三半导体具有窄于第二半导体的带隙，且所述第二异质结构中形成有二维空穴气；形成在所述第二半导体上的p型掺杂的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；与第一异质结连接的源极和漏极，所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接；以及，分布于源极与漏极之间的栅极，所述栅极与第四半导体连接。

主权项

一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件，其特征在于包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体上的第三半导体，所述第三半导体具有窄于第二半导体的带隙，且所述第二异质结构中形成有二维空穴气；形成在所述第二半导体上的p型掺杂的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；与第一异质结连接的源极和漏极，所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述源极、漏极与所述第二半导体形成欧姆接触；以及，分布于源极与漏极之间的栅极，所述栅极与第四半导体连接，所述栅极与第四半导体形成欧姆接触，所述栅极通过第四半导体与所述二维空穴气电连接。