[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710269210.4 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107195676A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶培勇,刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：玻璃衬底上的栅电极层；所述栅电极层上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上且与其接触的第二栅极绝缘膜；所述第二栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接到所述氧化物半导体膜的源电极层和漏电极层；以及所述氧化物半导体膜、所述源电极和所述漏电极上的绝缘膜，其中，所述第一栅极绝缘膜、所述第二栅极绝缘膜和所述玻璃衬底的每个包括相同种类的金属元素，其中，所述第一栅极绝缘膜的组成与所述第二栅极绝缘膜的组成不同，并且其中，在所述第一栅极绝缘膜与所述第二栅极绝缘膜之间的界面处，所述金属元素的浓度为5´1018 atoms/cm3以下。
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