[发明专利]一种提高太阳能电池板绒面均匀度的多晶制绒工艺在审

专利信息
申请号: 201710259503.4 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107046072A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 李亮亮;苏世杰;张玉前;查志军;陈世琴 申请(专利权)人: 通威太阳能(合肥)有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;C30B33/10;H01L31/18
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所53113 代理人: 张玺
地址: 230088 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及太阳能电池的制作技术领域,尤其为一种提高太阳能电池板绒面均匀度的多晶制绒工艺,包括以下步骤1)配制辅助剂将甜菜碱型两性表面活性剂、磷酸酯盐或羧酸盐、稳定剂、柠檬酸酯和去离子水混合;其之间质量百分含量比为0.2~1.8%∶0.02~0.035%∶0.2~0.5%∶0.03~0.05%∶96~97.5%;2)配制制绒液在溶液槽内投入酸性制绒液或碱性制绒液,并将辅助剂加入到制绒液中;3)制绒将待加工的原料硅片切片、漂洗后送入溶液槽中制绒,并保持腐蚀深度2.7~2.9um、制绒温度26~29℃、制绒时间15~30s;成品;4)将成品清洗、烘干。本发明,能使多晶制绒后绒面均匀,转换效率有很好的提高改善,同时灰片和反射率得到了降低。
搜索关键词: 一种 提高 太阳能 电池板 均匀 多晶 工艺
【主权项】:
一种提高太阳能电池板绒面均匀度的多晶制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)配制辅助剂:将甜菜碱型两性表面活性剂、磷酸酯盐或羧酸盐、稳定剂、柠檬酸酯和去离子水混合;其之间质量百分含量比为0.2~1.8%∶0.02~0.035%∶0.2~0.5%∶0.03~0.05%∶96~97.5%;2)配制制绒液:在溶液槽内投入酸性制绒液或碱性制绒液,并将辅助剂加入到制绒液中;3)制绒:将待加工的原料硅片切片、漂洗后送入溶液槽中制绒,并保持腐蚀深度2.7~2.9um、制绒温度26~29℃、制绒时间15~30s;得到成品;4)将成品清洗、烘干。
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  • 本实用新型公开了一种新型埋栅光伏电池片,涉及光伏发电技术领域。本实用新型包括P型硅板,P型硅板上表面设有N++层,N++层上表面设有N+层,N+层上表面设有氧化硅层,氧化硅层上设有选择性发射结层,P型硅板下表面设有背电场,背电场下表面设有背电极,氧化硅层、N+层、N++层和P型硅板上设有开设有沟槽,沟槽是采用激光刻出的槽,沟槽内填充有电镀栅线。本实用新型通过激光进行刻槽,并将金属化的栅线嵌入电池表面的狭窄沟槽内,通过选择性发射结降低电池片串联电阻,通过使用电镀镍、铜和锡的方法制备金属化的栅线,实现了电池的金属化,解决了现有的光伏电池片发电效率较低的问题。
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  • 胡党平;张树德;连维飞;魏青竹;倪志春;苗凤秀;姚悦;王金艺 - 苏州腾晖光伏技术有限公司
  • 2019-04-18 - 2019-07-16 - H01L31/0236
  • 本申请公开了一种双面太阳能电池,包括P型衬底层;位于P型衬底层第一表面的第一掺杂层,第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区;位于第一掺杂层上表面的第一钝化层;位于第一钝化层上表面的第一电极,且第一电极与第一重掺杂区接触;位于P型衬底层第二表面的第二掺杂层,第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区;位于第二掺杂层下表面的第二钝化层;位于第二钝化层下表面的第二电极;其中,第一表面与第二表面相对。本申请中的双面太阳能电池,在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术,使光电转换效率得到进一步提升。此外,本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
  • 一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺-201910331455.4
  • 周公庆;王璞;王岚 - 通威太阳能(成都)有限公司
  • 2019-04-23 - 2019-07-05 - H01L31/0236
  • 本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺,涉及太阳能电池制备技术领域,本发明用于晶体硅太阳能电池的制绒槽包括上端开口的槽体,槽体为圆筒形,槽体内径为40‑60cm,槽体内底部为往外凸的弧形面,弧形面深度为h,h=4‑6cm,槽体内底部设置有搅拌机构,槽体底部设置有加热元件,单晶硅制绒工艺采用上述用于晶体硅太阳能电池的制绒槽,本发明具有结构简单、可保证制绒液的温度和浓度分布均匀、制得的单晶硅电池制绒绒面的均匀性好的优点。
  • 一种可见光的光电转换结构及制作方法-201910275798.3
  • 刘卫国;王卓曼;刘欢;白民宇;舒利利;韩军;安妍 - 西安工业大学
  • 2019-04-08 - 2019-06-28 - H01L31/0236
  • 本发明公开了一种可见光的光电转换结构及制作方法,该光电转换结构包括黑硅基底,以及在黑硅基底表面依次覆盖的下电极、光敏层和上电极三层薄膜,其中上电极透明,下电极为不透明反光薄膜;入射光透过上电极,在黑硅基底表层微结构空间内以下电极为反射面多次反射,多次穿过光敏层发生光电转换,提高了可见光吸收率;同时该探测结构仅利用黑硅表面三维微结构的几何形貌,不将黑硅作为敏感材料,黑硅能带结构等内部物理特性不会影响探测结构性能,避免了传统黑硅光电转换结构中光生载流子大量复合、载流子横向输运能力差以及退火带来的吸收率下降等问题;该结构采用干法刻蚀制作基底,然后制作表面膜层,工艺稳定性高,效率高,成本低,可以实现批量化制造。
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