[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201710258247.7 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106876479B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吕振华;曲连杰;王延峰;冯鸿博;吕学文;刘建涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板。该薄膜晶体管包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及至少设置于所述有源层的所述沟道区表面上的由导电材料制备的线栅，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区，所述线栅包括多个彼此间隔的线栅段，并且在所述源极区至所述漏极区的方向上，所述沟道区的长度大于所述线栅段的长度。线栅段可以缩短沟道区的有效长度，可提高薄膜晶体管的开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；至少设置于所述有源层的所述沟道区表面上的由导电材料制备的线栅，所述线栅包括多个彼此间隔的线栅段；其中，在所述源极区至所述漏极区的方向上，所述沟道区的长度大于所述线栅段的长度。
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