[发明专利]一种反应腔室有效
| 申请号： | 201710257592.9 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735620B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李一成;彭宇霖;王雅菊 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。该反应腔室内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；并且，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，其特征在于，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
