[发明专利]一种反应腔室

说明书

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。该反应腔室内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；并且，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。

背景技术

随着半导体器件尺寸的减小和硅晶圆尺寸的增加，干法刻蚀技术(等离子体刻蚀)逐渐成为微米量级的半导体器件制备、微纳米制造工艺和微电子制造工艺中广泛应用的刻蚀技术。等离子体刻蚀指利用辉光放电方式，产生包含等离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位与被刻蚀的材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除，从而完成图案转印的刻蚀技术，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到晶圆上的不可替代的工艺过程。等离子体刻蚀用反应气体包括CF₄/O₂、NF₃、Cl₂、CH₄/Ar等，在等离子体干法刻蚀过程中，会生成大量的Cl基、F基等活性自由基，活性自由基对半导体器件进行刻蚀时，也会对铝和铝合金制备的等离子刻蚀工艺腔的内表面产生腐蚀作用，这种强烈的侵蚀产生了大量的颗粒，不仅降低设备的使用寿命，还会影响刻蚀结果。

因此，在刻蚀工艺腔中，增加内衬(Liner)来改善腔室内部等离子体的有效流动性，同时能够约束等离子体，保护腔室内壁与底部不被刻蚀。随着半导体晶片直径的增大，内衬对等离子体的分布限制和屏蔽作用对工艺参数至关重要，而内衬的接地性能直接影响着内衬对等离子体的屏蔽效果。其中，如图1所示为内衬3在腔室1内的结构位置，该内衬3为薄片式结构，整体置于腔室1的上部；基座上方设置静电卡盘2，静电卡盘2上方形成等离子体区5。如图2所示为现有技术中内衬的接地方式，其通过内衬3上方的接地面6与腔室1连接从而实现接地，内衬3的底面不接地。目前的接地方式可能会导致内衬3的上部接地良好，而下部接地不良，内衬3的上、下存在电势差，造成射频回路不稳定，同时削弱内衬屏蔽等离子体的效果，容易产生溅射。

可见，设计一种接地性能好、且能保证射频回路稳定的反应腔室成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种反应腔室，至少部分解决反应腔室中接地性能差、射频回路不稳定的问题。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，其特征在于，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；

所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。

优选的是，所述弯曲件包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部。

优选的是，所述内凹部和/或所述凸出部分别具有与所述中轴线方向垂直的水平延伸部。

优选的是，所述连接条采用铝质材料形成。

优选的是，所述内衬下接地机构中所述上连接块和所述下连接块分别具有块状主体，所述块状主体的表面设有保护涂层。