[发明专利]一种反应腔室有效
申请号: | 201710257592.9 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN108735620B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 李一成;彭宇霖;王雅菊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 | ||
1.一种反应腔室,所述反应腔室内部设置有基座,所述反应腔室上部设置有内衬,其特征在于,还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构,所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构,所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条,每一所述连接条包括至少一个弹性弯曲件;
所述上连接块的朝向所述内衬的端面连接所述内衬的底部,所述下连接块的朝向所述基座的端面连接所述基座的接地部分。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述弯曲件包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述内凹部和/或所述凸出部分别具有与所述中轴线方向垂直的水平延伸部。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述连接条采用铝质材料形成。
5.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬下接地机构中所述上连接块和所述下连接块分别具有块状主体,所述块状主体的表面设有保护涂层。
6.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,所述保护涂层包括设于所述上连接块的朝向所述内衬的端面的镀镍层,和所述下连接块的朝向所述基座的端面的镀镍层,以及设于所述上连接块的除朝向所述内衬的端面以外的表面的硬质阳极氧化层,和所述下连接块的除朝向所述基座的端面以外的表面的硬质阳极氧化层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室,其特征在于,所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构分别加工成型,并采用焊接方式组成所述内衬下接地机构;
或者,所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构采用机加方式整体加工成所述内衬下接地机构。
8.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室,其特征在于,所述上连接块的朝向所述内衬的端面通过盖帽用真空螺钉与所述内衬连接,所述下连接块的朝向所述基座的端面通过盖帽用真空螺丝与所述基座连接,所述盖帽为真空螺钉安装树脂螺帽。
9.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬在其底部均匀设置有两个以上所述内衬下接地机构。
10.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室,其特征在于,还包括内衬上接地机构,所述内衬上接地机构为诱电线圈,通过所述诱电线圈将所述内衬和腔室壁的接地部分连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造