[发明专利]氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，并对金属反射层进行图形化处理，图形化后的金属反射层形成若干个金属块；所述金属块与半导体基座上的读出电路电连接；然后，在完成图形化金属反射层上沉积绝缘介质层，并对绝缘介质层进行图形化处理，并露出金属块；

步骤2：在所述的绝缘介质层上沉积牺牲层，并对牺牲层进行图形化处理，在图形化处理后的牺牲层上形成锚点孔，并在图形化处理后的牺牲层上沉积支撑层；

步骤3：采用光刻和蚀刻的方法，蚀刻掉部分支撑层，支撑层蚀刻终止于所述金属块，形成通孔，在所述通孔和锚点孔内沉积连接金属；

步骤4：在支撑层上沉积钛薄膜，并在钛薄膜上沉积第一保护层；

步骤5：对第一保护层进行图形化处理，通过光刻，去除中部的第一保护层薄膜，露出中部的钛薄膜，并对其进行氧化，使中部的钛薄膜转变为氧化钛薄膜，所述氧化钛薄膜为半导体；

步骤6：在第一保护层和氧化钛薄膜上沉积第二保护层；

步骤7：采用光刻和蚀刻的方法，对第二保护层进行图形化处理，第二保护层蚀刻终止于牺牲层，然后，进行结构释放，去掉牺牲层形成微桥结构。

2.根据权利要求1所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，金属反射层的厚度为金属反射层对波长为8～14μm的红外光的反射率在99％以上。

3.根据权利要求1所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为聚酰亚胺或者非晶碳，厚度为1.0～2.5μm。

4.根据权利要求1所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述支撑层为氮化硅薄膜，厚度为

5.根据权利要求1所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层都是利用化学气相沉积低应力氮化硅形成的。

6.根据权利要求1所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，步骤5中，对中部的钛薄膜进行氧化，氧化方法包括通入氧气使钛薄膜氧化和离子注入氧使钛薄膜氧化两种方式。

7.根据权利要求1-6任一项所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述连接金属为铝、铜或钨。

8.根据权利要求1-6任一项所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述的绝缘介质层为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜，厚度为