[发明专利]一种多量子阱结构及其发光二极管有效
| 申请号： | 201710252090.7 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107086258B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 江汉;蓝永凌;黄文宾;宋长伟;黄理承;寻飞林;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的Droop效应，提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 及其 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱结构，包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其特征在于：其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构，所述电子收集层与所述发光层之间还设置有禁带宽度低于所述势阱层的电子沟壑层。
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