[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中被保留的薄层的光阻(PR)对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护，避免栅极绝缘层(GI)在放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处因材质差异发生过蚀刻及底切问题，降低导电薄膜(9)破膜的风险，使得放电TFT(T3)的漏极(D3)与公共电压线(Com)之间的桥接可靠，且不会损失开口率，从而改善面板的显示效果，提高产品良率。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括在基板(1)上自下至上依次形成第一金属层(M1)、栅极绝缘层(GI)、半导体有源层(2)、第二金属层(M2)、及保护层(PV)，在所述保护层(PV)上涂布光阻(PR)；所述栅极绝缘层(GI)覆盖所述第一金属层(M1)，所述第一金属层(M1)包括栅极线(G)、及公共电压线(Com)；所述保护层(PV)覆盖所述第二金属层(M2)，所述第二金属层(M2)包括数据线(D)、第一源极(S1)、第一漏极(D1)、第二源极(S2)、第二漏极(D2)、第三源极(S3)、及第三漏极(D3)；所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第一源极(S1)、及第一漏极(D1)构成第一充电TFT(T1)，所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第二源极(S2)、及第二漏极(D2)构成第二充电TFT(T2)，所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第三源极(S3)、及第三漏极(D3)构成放电TFT(T3)；以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光的步骤，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护。