[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中被保留的薄层的光阻(PR)对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护，避免栅极绝缘层(GI)在放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处因材质差异发生过蚀刻及底切问题，降低导电薄膜(9)破膜的风险，使得放电TFT(T3)的漏极(D3)与公共电压线(Com)之间的桥接可靠，且不会损失开口率，从而改善面板的显示效果，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)能够显示高清、连续、细腻的画面，越来越受消费者青睐。

现有市场上的TFT-LCD通常包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。液晶面板由一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

TFT-LCD要显示连续、细腻的高清晰画面，需要像素(Pixel)间做亮暗连贯性变化。两个连续变化的像素可以通过给像素在相同时间内充入不同电量来使得上下电极或驱动电极间压差不一致，从而使液晶偏转角度不一致，光透过率不一致，达到亮暗连续变化的要求。现有技术通常通过拉低不同像素的电位来实现在相同充电时间内不同像素的充电饱和度不同、充电电荷不同、电位不一致的效果。

如图1所示，以3个TFT为驱动单元的设计方式已经普遍应用于控制单个像素的充电饱和度，其中第一金属层中的栅极线G用于开启第一充电TFT T1、第二充电TFT T2、与放电TFT T3，第一充电TFT T1与第二充电TFT T2这两个TFT主要将第二金属层中的数据线D传输的数据信号写入对应的两个相邻像素进行充电，放电TFT T3直接电性连接第二充电TFTT2的漏极与电位较低的公共电压线Com，将与第二充电TFT T2电性连接的像素的电荷导出以拉低该像素的电位，其中，所述放电TFT T3的漏极D3位于第二金属层，公共电压线Com位于第一金属层。这样设计的优点在于：可以在不牺牲开口率的前提下有效地拉低两相邻像素其中之一的电位。

请同时参阅图2与图3，结合图1，为了实现放电TFT T3的漏极D3与公共电压线Com之间的桥接，即第二金属层M2与第一金属层M1的桥接，现有的TFT阵列基板设置有过孔V’，所述过孔V’由保护层PV贯穿至栅极绝缘层GI，暴露出部分TFT T3的漏极D3与部分公共电压线Com，导电薄膜9’如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)沉积在该过孔V’上用于连接放电TFT T3的漏极D3与公共电压线Com。

如图4、图5所示，现有技术制作所述过孔V’的过程为：首先使用传统的全色调光罩(Full Tone Mask)FTM进行曝光，去除拟形成过孔V’区域上的全部光阻PR；然后以剩余的光阻PR为遮蔽层对保护层PV与栅极绝缘层GI进行干法蚀刻，由于第二金属层M2对干法蚀刻的阻挡以及干法蚀刻的化学性蚀刻特点，在TFT T3的漏极D3的爬坡(Tapper)处的栅极绝缘层GI容易出现底切(Under-cut)(图5中虚线圈示出的区域)，形成锐利的尖角。在后续的导电薄膜9’沉积过程中，如图3所示，栅极绝缘层GI的底切处容易引发导电薄膜9’破膜，导致电阻偏高及放电TFT T3的漏极D3与公共电压线Com之间的桥接不可靠，从而影响面板的显示效果，造成产品良率降低。

发明内容