[发明专利]导电糊料组合物和用其制成的半导体装置有效
| 申请号： | 201710239818.2 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107293349B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | K·W·汉;K·L·戈奇厄斯;橘勇介;P·D·韦努伊 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/16 | 分类号： | H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种厚膜糊料组合物，该组合物用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池装置的正侧面。该厚膜糊料包含分散在有机介质中的导电金属和双‑玻璃料氧化物组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 糊料 组合 制成 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种糊料组合物，包含：无机固体部分，该无机固体部分包含：(a)按固体的重量计85％至99.75％的导电金属源，以及(b)按固体的重量计0.25％至15％的包含第一易熔材料和单独的第二易熔材料的氧化物基组分，以及有机载体，该无机固体部分的成分分散在该有机载体中，并且其中该第一易熔材料为以下各项之一：铅‑碲‑氧化物(Pb‑Te‑O)组合物、铅‑碲‑硼‑氧化物(Pb‑Te‑B‑O)组合物、铅‑碲‑锂‑氧化物(Pb‑Te‑Li‑O)组合物、或它们的混合物，并且该第二易熔材料是铋‑硅‑氧化物，并且其中该第一易熔材料具有第一玻璃化转变温度(Tg1)和第一软化点(Ts1)，并且该第二易熔材料具有第二玻璃化转变温度(Tg2)和第二软化点(Ts2)，Tg2高于Tg1并且Ts2高于Ts1，并且差值ΔTg＝Tg2‑Tg1是至少100℃或差值ΔTs＝Ts2‑Ts1是至少100℃或两者兼具。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司，未经E.I.内穆尔杜邦公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710239818.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于三维石墨烯的柔性透明复合电极及其制备方法
- 下一篇：一种抗压电缆
