[发明专利]一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法在审
| 申请号： | 201710233397.2 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107123593A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波;蒋哲 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法。该方法包括在掺锗碳化硅晶片上通过电子束蒸发形成Ti/Pt/Au金属电极；将形成电极后的掺锗碳化硅晶片进行快速退火形成欧姆接触，所述快速退火分为两个升温阶段，第一阶段温度升高到300‑500℃，持续保温3‑5分钟，第二阶段退火温度为600‑800℃，持续保温5‑10分钟；最后将温度降至不高于60℃。本发明经掺杂锗元素来形成高质量、低接触电阻的欧姆接触，同时通过改变掺杂锗元素的浓度可以制备出不同欧姆接触性能的掺锗碳化硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 欧姆 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法，包括：‑提供掺锗碳化硅晶片；‑在所述掺锗碳化硅晶片上通过电子束蒸发形成金属电极；‑升温阶段：将以上形成电极后的掺锗碳化硅晶片放入快速退火装置中进行快速退火形成欧姆接触，所述快速退火装置的加热面为炉腔内四周面，升温的同时向炉腔内通入氩气；所述快速退火分为两个升温阶段，第一阶段温度升高到300‑500℃，持续保温3‑5分钟，第二阶段退火温度为600‑800℃，持续保温5‑10分钟；‑降温阶段：将温度降至不高于60℃。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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