[发明专利]双极型晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种双极型晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区；对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子；对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区；对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底，以及位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部，位于第二区阱衬底上的第二鳍部，位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部。所述形成方法能够改善所形成双极型晶体管的性能。

主权项

1.一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间，且所述第一区与第二区相邻，所述第二区和第三区相邻；对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子；对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二阱区与所述第一阱区接触，且所述第二阱区与所述第三阱区接触，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底、位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部、位于第二区阱衬底上的第二鳍部以及位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部；在所述第一鳍部中形成第一外延层；在所述第二鳍部中形成第二外延层；在所述第三鳍部中形成第三外延层。