[发明专利]双极型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间，且所述第一区与第二区相邻，所述第二区和第三区相邻；

对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子为磷离子或砷离子，所述第一离子注入的工艺参数包括：注入剂量为2.3E13atoms/cm²～3.3E13atoms/cm²；

对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二阱区与所述第一阱区接触，且所述第二阱区与所述第三阱区接触，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反，所述第二掺杂离子为硼或BF^2-，所述第二离子注入的工艺参数包括：注入剂量为2.7E13atoms/cm²～3.3E13atoms/cm²；

对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底、位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部、位于第二区阱衬底上的第二鳍部以及位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部；

在所述第一鳍部中形成第一外延层；

在所述第二鳍部中形成第二外延层；

在所述第三鳍部中形成第三外延层。

2.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入之后，进行所述第二离子注入；或者所述第一离子注入之前，进行所述第二离子注入。

3.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一阱区和第三阱区的步骤包括：在所述第二区基底上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区。

4.如权利要求3所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的工艺参数还包括：注入能量为20KeV～30KeV；功率为90KW～110KW。

5.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第二阱区的步骤包括：在所述第一区和第三区基底上形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜对所述基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区。

6.如权利要求5所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入的工艺参数还包括：注入能量为10KeV～20KeV，功率为90KW～110KW。

7.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述图形化处理的步骤包括：在所述基底上形成图形化的第三掩膜层；以所述图形化的第三掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成阱衬底以及位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部，位于第二区阱衬底上的第二鳍部，位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部。

8.如权利要求7所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一外延层和第三外延层中具有第一原位离子，所述第二外延层中具有第二原位离子；

形成所述第一外延层和第三外延层的工艺包括第一外延生长工艺，并在所述第一外延生长工艺的过程中，对所述第一外延层和第三外延层进行第一原位掺杂；形成所述第二外延层的工艺包括第二外延生长工艺，并在所述第二外延生长工艺的过程中，对所述第二外延层进行第二原位掺杂。

10.如权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一外延层表面形成第一金属化物层；在所述第二外延层表面形成第二金属化物层；在所述第三外延层表面形成第三金属化物层；形成分别连接所述第一金属化物层、第二金属化物层和第三金属化物层的插塞。