[发明专利]双极型晶体管及其形成方法

说明书

本发明提供一种双极型晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区；对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子；对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区；对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底，以及位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部，位于第二区阱衬底上的第二鳍部，位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部。所述形成方法能够改善所形成双极型晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种双极型晶体管及其形成方法。

背景技术

随着半导体器件集成度的提高，晶体管的应用越来越广泛，这也对晶体管的性能提出了更高的要求。

双极型晶体管，也称三极管或晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管在放大电路和静电保护电路中都有重要应用。

然而，现有技术形成的双极型晶体管的性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种双极型晶体管及其形成方法，能够改善所形成的双极型晶体管的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种双极型晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间，且所述第一区与第二区相邻，所述第二区和第三区相邻；对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子；对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二阱区与所述第一阱区接触，且所述第二阱区与所述第三阱区接触，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底、位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部、位于第二区阱衬底上的第二鳍部以及位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部；在所述第一鳍部中形成第一外延层；在所述第二鳍部中形成第二外延层；在所述第三鳍部中形成第三外延层。

可选的，所述第一离子注入之后，进行所述第二离子注入；或者所述第一离子注入之前，进行所述第二离子注入。

可选的，形成所述第一阱区和第三阱区的步骤包括：在所述第二区基底上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区。

可选的，所述第一掺杂离子为磷离子或砷离子，所述第一离子注入的工艺参数包括：注入剂量为2.3E13atoms/cm²～3.3E13 atoms/cm²；注入能量为20KeV～30KeV；功率为90KW～110KW。

可选的，形成所述第二阱区的步骤包括：在所述第一区和第三区基底上形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜对所述基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区。

可选的，所述第二掺杂离子为硼或BF^2-，所述第二离子注入的工艺参数包括：注入剂量为2.7E13 atoms/cm²～3.3E13atoms/cm²，注入能量为10KeV～20KeV，功率为90KW～110KW。

可选的，所述图形化处理的步骤包括：在所述基底上形成图形化的第三掩膜层；以所述图形化的第三掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成阱衬底以及位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部，位于第二区阱衬底上的第二鳍部，位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部。