[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201710217781.3 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107068768A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李子然 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上的钝化层。本发明还提供了一种该薄膜晶体管的制作方法及具有该薄膜晶体管的阵列基板。本发明通过对栅极绝缘层的表面进行平整化以及在栅极绝缘层的表面形成富氧层，从而使栅极绝缘层的表面平整，并且栅极绝缘层的表面的氧空缺缺陷被改善，进而使栅极绝缘层的表面状态稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上的钝化层。
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