[发明专利]氮化物底层及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有嵌入式纳米柱结构的氮化物层，用于外延生长、制备高外量子效率的氮化镓基发光二极管；本发明同时揭示了一种形成嵌入式纳米柱结构底层的制备方法。具体步骤包括：（1）提供具有不同生长速率晶面的图形衬底；（2）在所述衬底上进行预处理；2）在所述衬底上形成氮化物成核层；（3）采用三维生长条件下外延生长氮化物层；4）采用二维外延生长条件，外延生长二维氮化物层。本发明避免了为形成纳米柱结构而需要采用的复杂芯片工艺，解决了采用芯片工艺对芯片可靠性的影响，能有效提升器件的光电性能，增加器件稳定性和抗压可靠性。

主权项

1.氮化物底层的制备方法，包括步骤：（1）提供一图形衬底，具有不同生长速率的晶面，图形为分布在表面上的一系列凸起部；（2）对所述衬底进行预处理；（3）在所述衬底图形上生长氮化物成核层；（4）采用三维生长条件，在所述氮化物成核层上形成第一氮化物层，其在所述衬底的凸起部的顶部上形成纳米柱，所述纳米柱呈周期性分布；（5）采用二维生长条件，在所述第一氮化镓层上继续生长第二氮化物层，在所述纳米柱上方合拢成一无裂缝平面，从而在氮化物底层形成嵌入式纳米柱结构。