[发明专利]硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法有效
| 申请号： | 201710210557.1 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666251B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王刚;张荣军;姜晓玉;施益超;刘凯;陈俊朋 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法，所述硅片吸附装置安装在所述硅片传送装置上，所述硅片吸附装置包括吸附装置本体和第一吸盘装置，其中：所述吸附装置本体具有第一开口；所述第一吸盘装置包括第一裙边结构，所述第一裙边结构位于所述吸附装置本体的一侧，并与所述第一开口相连接，所述第一裙边结构与所述第一开口的连接处具有一凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一裙边结构的外侧。本发明通过所述第一裙边结构与所述第一开口的外侧连接处具有一凹槽结构，释放了第一裙边结构变形时第一吸盘装置根部的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 吸附 装置 传送 传输 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片吸附装置，其特征在于，所述硅片吸附装置包括吸附装置本体和第一吸盘装置，其中：所述吸附装置本体具有第一开口；所述第一吸盘装置包括第一裙边结构，所述第一裙边结构位于所述吸附装置本体的一侧，并与所述第一开口相连接，所述第一裙边结构与所述第一开口的连接处具有一凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一裙边结构的外侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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