[发明专利]硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法

说明书

本发明提供了一种硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法，所述硅片吸附装置安装在所述硅片传送装置上，所述硅片吸附装置包括吸附装置本体和第一吸盘装置，其中：所述吸附装置本体具有第一开口；所述第一吸盘装置包括第一裙边结构，所述第一裙边结构位于所述吸附装置本体的一侧，并与所述第一开口相连接，所述第一裙边结构与所述第一开口的连接处具有一凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一裙边结构的外侧。本发明通过所述第一裙边结构与所述第一开口的外侧连接处具有一凹槽结构，释放了第一裙边结构变形时第一吸盘装置根部的应力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法。

背景技术

在半导体领域，硅片通过机械手带动片叉吸附固定后，进行硅片的移动和传送。随着半导体技术的发展，硅片厚度不断减薄，以及增加了硅片键合工艺，导致硅片自身存在程度不同的翘曲。由于硅片存在翘曲，在硅片翘曲处和片叉吸附面表面形成了间隙，从而当片叉吸附面抽真空时会出现漏气，导致现有的片叉不能理想地吸附翘曲硅片。

因此，需要设计一种可有效吸附翘曲硅片的硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法，以解决现有的硅片吸附装置无法吸附翘曲硅片的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种硅片吸附装置，所述硅片吸附装置包括吸附装置本体和第一吸盘装置，其中：

所述吸附装置本体具有第一开口；

所述第一吸盘装置包括第一裙边结构，所述第一裙边结构位于所述吸附装置本体的一侧，并与所述第一开口相连接，所述第一裙边结构与所述第一开口的连接处具有一凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一裙边结构的外侧。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一开口的形状为圆形，所述吸附装置本体的外形为圆柱形。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一开口的直径的范围为8.2mm～9.0mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述吸附装置本体的外直径的范围为13.0mm～17.0mm之间，所述吸附装置本体的高度的范围为0.4mm～0.6mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一裙边结构的外形为圆台形，所述凹槽结构在所述吸附装置本体表面形成的形状为圆环形。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一裙边结构的外直径的范围为15.0mm～17.0mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一裙边结构的高度的范围为0.8mm～1.6mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一裙边结构的外侧面与所述吸附装置本体的顶面之间的角度的范围为18°～24°之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述第一裙边结构的内侧面与所述吸附装置本体的顶面之间的角度的范围为16°～23°之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述凹槽结构的深度的范围为0.2mm～0.3mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述凹槽结构的内直径的范围为9.8mm～10.6mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述凹槽结构的底面宽度的范围为0.3mm～0.5mm之间。

可选的，在所述的硅片吸附装置中，所述凹槽结构包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁靠近所述第一开口，所述第二侧壁远离所述第一开口。