[发明专利]高压半导体装置有效
| 申请号： | 201710207296.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108269842B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨绍明;简廷耀;吴玠志;李自捷;赖秋仲 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。高压半导体装置还包含设置于源极区下方且具有第一导电型态的第一掩埋层。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型态；一栅极，设置于所述基底上；一源极区及一漏极区，分别位于所述栅极的相对两侧；一线性掺杂区，设置于所述栅极和所述漏极区之间，且具有所述第一导电型态，其中所述线性掺杂区具有一不均匀的掺杂深度；以及一第一掩埋层，设置于所述源极区下方，且具有所述第一导电型态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710207296.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
