[发明专利]高压半导体装置

说明书

本发明实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。高压半导体装置还包含设置于源极区下方且具有第一导电型态的第一掩埋层。

技术领域

本发明是有关于半导体装置，且特别是有关于高压半导体装置。

背景技术

高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物半导体(vertically diffused metal oxidesemiconductor,VDMOS)晶体管及水平扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metaloxide semiconductor,LDMOS)晶体管，主要用于18V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它制造工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。

在高压半导体装置的发展过程中，同时具有高击穿电压和低导通电阻(on-resistance,Ron)的高压半导体装置是难以达成的目标。因此，有必要寻求一种新的高压半导体装置结构以满足上述需求。

发明内容

本发明提供一种高压半导体装置，以满足同时具有高击穿电压和低导通电阻的需求。

本发明的一些实施例是关于高压半导体装置，其包含基底具有第一导电型态，栅极设置于基底上，源极区及漏极区分别位于栅极的相对两侧；线性掺杂区设置于栅极和漏极区之间，且具有第一导电型态，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度；以及第一掩埋层设置于源极区下方，且具有第一导电型态。

本发明的一些实施例是关于高压半导体装置，其包含栅极沿第一方向延伸，源极区及漏极区分别位于栅极的相对两侧，且沿第一方向延伸，隔离区设置于栅极与漏极区间，隔离区具有多个隔开的隔离块，以及线性掺杂区设置于栅极和漏极区之间，且位于该些隔离块间，其中在沿着垂直于第一方向的第二方向，线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。

附图说明

为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

图1是根据本发明的一些实施例的高压半导体装置的俯视图。

图2是根据一些实施例，沿图1所示的高压半导体装置的A-A’切线的剖面示意图。

图3是根据一些实施例，沿图1所示的高压半导体装置的B-B’切线的剖面示意图。

图4是根据另一些实施例，沿图1所示的高压半导体装置的B-B’切线的剖面示意图。

符号说明：

100～高压半导体装置；

102～基底；

104～第一井区；

106～第二井区；

108～第一掺杂区；

110～第二掺杂区；

112～栅极；

114～第三掺杂区；

116～线性掺杂区；

118～隔离区；

118A、1108B～隔离块；

120～第一掩埋层；

122～第二掩埋层；

L1、L2～长度。

具体实施方式