[发明专利]晶片级接近度传感器

摘要

一种晶片级接近度传感器，通过以下步骤形成：分别加工硅衬底晶片和硅帽盖晶片；将该帽盖晶片键合到该衬底晶片；在该衬底内形成硅穿孔的互连结构；以及单片切割该键合的晶片以产生单独封装的传感器。该晶片级接近度传感器比常规接近度传感器更小，并且可以使用更短的制造工艺以更低的成本来制造。该接近度传感器通过信号路径耦合至外部部件，该信号路径包括形成在该硅衬底的下表面上的这些硅穿孔和球栅阵列。该晶片级接近度传感器的设计使来自该光发射器的更多光通过，并且使更多光通过到达该光传感器。

主权项

一种方法，包括：在硅衬底的上表面上形成多个光传感器；在所述硅衬底的所述上表面上形成多个接触焊盘；在硅帽盖晶片的下表面中形成开口；使所述开口对准所述光传感器和所述接触焊盘；将所述硅帽盖晶片键合到所述硅衬底；从所述硅帽盖晶片的上表面去除材料，以便暴露所述光传感器和所述接触焊盘；将多个光发射器附接至所述接触焊盘中的对应接触焊盘；打薄所述硅衬底；用透明材料填充所述开口；形成从所述硅衬底的所述上表面延伸到所述硅衬底的下表面的硅穿孔；在所述硅衬底的所述下表面上形成球栅阵列，所述球栅阵列包括与所述硅穿孔中的对应硅穿孔电连接的多个焊球；以及将所述键合的硅晶片单片切割成单独的传感器模块。