[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710203142.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108417626B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 林立凡;杨竣杰 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置，包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极垫与第一漏极垫。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一源极垫电性连接源极电极且包含第一下源极分支与第一源极本体。第一下源极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一源极本体置于第二绝缘层上。第一漏极垫电性连接漏极电极且包含第一下漏极分支与第一漏极本体。第一下漏极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一漏极本体置于第二绝缘层上。本公开提供的半导体装置可有效缩减半导体元件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：一主动层，具有一主动区；至少一源极电极与至少一漏极电极，置于该主动层的该主动区上且沿着一第一方向排列；至少一栅极电极，置于该主动层的该主动区上，且置于该源极电极与该漏极电极之间；一第一绝缘层，置于该源极电极、该漏极电极与该栅极电极上；一第二绝缘层，置于该第一绝缘层上；一第一源极垫，电性连接该源极电极，该第一源极垫包含：至少一第一下源极分支，沿着一第二方向延伸，置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且置于该源极电极上，其中该第二方向不同于该第一方向；以及一第一源极本体，置于该第二绝缘层与该主动层的该主动区上，且沿着该第一方向延伸；以及一第一漏极垫，电性连接该漏极电极，该第一漏极垫包含：至少一第一下漏极分支，沿着该第二方向延伸，置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且置于该漏极电极上；以及一第一漏极本体，置于该第二绝缘层与该主动层的该主动区上，且沿着该第一方向延伸。
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