[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一主动层，具有一主动区；

至少一源极电极与至少一漏极电极，置于该主动层的该主动区上且沿着一第一方向排列；

至少一栅极电极，置于该主动层的该主动区上，且置于该源极电极与该漏极电极之间；

一第一绝缘层，置于该源极电极、该漏极电极与该栅极电极上；

一第二绝缘层，置于该第一绝缘层上；

一第三绝缘层，置于该第一绝缘层与该主动层之间；

一第一源极垫，电性连接该源极电极，该第一源极垫包含：

至少一第一下源极分支，沿着一第二方向延伸，置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且置于该源极电极上，其中该第二方向不同于该第一方向；以及

一第一源极本体，置于该第二绝缘层与该主动层的该主动区上，且沿着该第一方向延伸；以及

一第一漏极垫，电性连接该漏极电极，该第一漏极垫包含：

至少一第一下漏极分支，沿着该第二方向延伸，置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且置于该漏极电极上；以及

一第一漏极本体，置于该第二绝缘层与该主动层的该主动区上，且沿着该第一方向延伸；

其中该源极电极包含：

一下源极部，置于该第三绝缘层与该主动层之间；

一上源极部，置于该第一绝缘层与该第三绝缘层之间，其中该下源极部电性连接至该上源极部；以及

至少一贯穿结构，连接于该下源极部与该上源极部之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源极垫还包含一第一上源极分支，置于该第二绝缘层与该第一下源极分支上，且自该第一源极本体突出。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一漏极垫还包含一第一上漏极分支，置于该第二绝缘层与该第一下漏极分支上，且自该第一漏极本体突出。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一下源极分支的数量为多个，且所述第一下源极分支彼此隔开。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该第一下漏极分支的数量为多个，且所述第一下漏极分支彼此隔开。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该源极电极与该第一漏极垫的该第一漏极本体之间形成一空间，且该第一下源极分支置于该空间之外。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一绝缘层与该第二绝缘层的总厚度大于4微米。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源极垫为多个，所述第一源极垫置于该第一绝缘层与该主动层的该主动区上。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一漏极本体为多个，所述第一漏极垫置于该第一绝缘层与该主动层的该主动区上且与所述第一源极垫沿着该第二方向交替排列。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源极垫于该主动层的正投影形成一源极垫区域，且该漏极电极于该主动层的正投影形成一漏极区域，该源极垫区域重叠至少部分的该漏极区域，且该源极垫区域与该漏极区域的重叠区域的面积小于或等于40％的该漏极区域的面积。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中该漏极电极包含：

一下漏极部，置于该第三绝缘层与该主动层之间；以及

一上漏极部，置于该第一绝缘层与该第三绝缘层之间，其中该下漏极部电性连接至该上漏极部。

12.如权利要求2所述的半导体装置，还包含：

一第四绝缘层，置于该第一源极垫与该第一漏极垫上；

一第二源极垫，置于该第四绝缘层上，并电性连接至该第一源极垫；以及

一第二漏极垫，置于该第四绝缘层上，并电性连接至该第一漏极垫。