[发明专利]改善动态随机存储器行锤现象的半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710201850.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108666313B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 动态 随机 存储器 现象 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含有：半导体基底，具有第一导电型及第一掺杂浓度；主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及区域掺杂区，具有第二导电型及第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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