[发明专利]改善动态随机存储器行锤现象的半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含有：

半导体基底，具有第一导电型及第一掺杂浓度；

主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；

沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；

埋入字符线的沟槽，位于该主动区域中；

通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及

区域掺杂区，具有第二导电型及第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上并且不接触该埋入字符线的沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型是P型，该第二导电型是P型。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该区域掺杂区是掺杂铟。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度介于1E18～5E19atoms/cm³。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度大于该第一掺杂浓度。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂浓度介于1E18～2E19atoms/cm³。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型是P型，该第二导电型是N型。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该区域掺杂区是掺杂砷。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度介于1E18～5E19atoms/cm³。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该区域掺杂区仅在该端面的一第一深度与一第二深度之间延伸，且正对该通过栅极。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该第一深度为该第二深度为

13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该沟槽绝缘结构包含硅氧层，介于该区域掺杂区与该通过栅极之间。

14.一种半导体结构的制作方法，包含有：

提供一半导体基底，具有一第一导电型；

在该半导体基底上形成至少一主动区域，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；

进行一第一斜角度离子注入制作工艺，于该主动区域的一端面上的一第一深度以上形成一第一掺杂区，具有一第二导电型；

进行一第二斜角度离子注入制作工艺，在该主动区域的该端面上的一第二深度以上形成一第二掺杂区，具有一第三导电型，其中该第三导电型与该第二导电型互为相反电性，如此于该第一深度与该第二深度之间构成一具有该第二导电型的区域掺杂区；以及

在该主动区域周围形成一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的该端面。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其中该第一斜角度离子注入制作工艺与该第二斜角度离子注入制作工艺的离子注入方向均为平行该第一方向。

16.如权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其中该第一斜角度离子注入制作工艺是以一第一注入角度进行离子注入，该第二斜角度离子注入制作工艺是以一第二注入角度进行离子注入，其中该第一注入角度大于该第二注入角度。

17.如权利要求16所述的半导体结构的制作方法，其中该第一注入角度为40°，而该第二注入角度为29°。