[发明专利]改善动态随机存储器行锤现象的半导体结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种可以改善动态随机存储器(DRAM)的行锤(row hammer)现象的半导体结构及其制作方法。

背景技术

当动态随机存取存储器(DRAM)的目标行在一段时间内被激活太多次时，存储在邻近目标行的相邻行的数据资料很可能会丢失或被干扰。更具体地说，存储在相邻行的数据资料会由于目标行的频繁激活而产生的信号串扰而损坏(data corruption)，此现象又被称为“行锤(row hammer)”。

随着DRAM设计密度的增加，行锤现象会越来越严重，已成为该技术领域亟待解决的一个问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种改良的半导体结构及其制作方法，以解决现有技术技术的不足与缺点。

根据本发明一实施例，提出一种半导体结构，包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。

根据本发明另一实施例，提出一种半导体结构的制作方法。

首先提供一半导体基底，具有一第一导电型。在该半导体基底上形成至少一主动区域，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸。进行一第一斜角度离子注入制作工艺，在该主动区域的一端面上的一第一深度以上形成一第一掺杂区，具有一第二导电型。再进行一第二斜角度离子注入制作工艺，在该主动区域的该端面上的一第二深度以上形成一第二掺杂区，具有一第三导电型，其中该第三导电型与该第二导电型互为相反电性，如此于该第一深度与该第二深度之间构成一具有该第二导电型的区域掺杂区。再于该主动区域周围形成一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的该端面。

为让本发明上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明一实施例所绘示的半导体结构的部分布局示意图；

图2为图1中沿着切线I-I’所视的剖面示意图；

图3至图6为本发明实施例所绘示的半导体结构的制作方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

1 半导体结构

32 第一斜角度离子注入制作工艺

34 第二斜角度离子注入制作工艺

101、102、103 主动区域

102a、102b 端面

121 掺杂区

122 掺杂区

200 沟槽绝缘结构

201 沟槽填充硅氧层

210 阻障层

220 钨金属层