[发明专利]存储单元及其形成方法、存储阵列结构及其形成方法

摘要

一种存储单元及其形成方法、存储阵列结构及其形成方法，存储单元的形成方法包括：提供基底，基底包括沿行方向依次排列的第一二极管区、第二二极管区、第三二极管区、第四二极管区；在第一二极管区以及第二二极管区的基底内形成第一阱区；在第三二极管区以及第四二极管区的基底内形成第二阱区，且第二阱区的掺杂类型与第一阱区的掺杂类型不同；在第一阱区以及第二阱区上形成掺杂导电区；在基底内形成深沟槽隔离结构，且深沟槽隔离结构电隔离第一二极管区的第一阱区与第二二极管区的第一阱区，电隔离第三二极管区的第二阱区与第四二极管区的第二阱区。本发明增加了形成阱区的光刻工艺窗口，使得形成的存储单元以及存储阵列结构面积可以做的更小。

主权项

1.一种存储单元，其特征在于，包括：基底，所述基底包括沿行方向依次排列的第一二极管区、第二二极管区、第三二极管区以及第四二极管区；位于所述第一二极管区以及第二二极管区的基底内的第一阱区；位于所述第三二极管区以及第四二极管区的基底内的第二阱区，且所述第二阱区的掺杂类型与所述第一阱区的掺杂类型不同；分别位于所述第一阱区以及第二阱区上的掺杂导电区；位于所述基底内的深沟槽隔离结构，其中，所述深沟槽隔离结构电隔离所述第一二极管区的第一阱区与所述第二二极管区的第一阱区，电隔离所述第三二极管区的第二阱区与所述第四二极管区的第二阱区，电隔离所述第一二极管区的掺杂导电区与所述第二二极管区的掺杂导电区，电隔离所述第三二极管区与所述第四二极管区的掺杂导电区；位于所述基底上方的RRAM器件，所述RRAM器件电连接所述第二二极管区的掺杂导电区以及第三二极管区的掺杂导电区。