[发明专利]存储单元及其形成方法、存储阵列结构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括沿行方向依次排列的第一二极管区、第二二极管区、第三二极管区以及第四二极管区；

位于所述第一二极管区以及第二二极管区的基底内的第一阱区；

位于所述第三二极管区以及第四二极管区的基底内的第二阱区，且所述第二阱区的掺杂类型与所述第一阱区的掺杂类型不同；

分别位于所述第一阱区以及第二阱区上的掺杂导电区；

位于所述基底内的深沟槽隔离结构，其中，所述深沟槽隔离结构电隔离所述第一二极管区的第一阱区与所述第二二极管区的第一阱区，电隔离所述第三二极管区的第二阱区与所述第四二极管区的第二阱区，电隔离所述第一二极管区的掺杂导电区与所述第二二极管区的掺杂导电区，电隔离所述第三二极管区与所述第四二极管区的掺杂导电区；

位于所述基底上方的RRAM器件，所述RRAM器件电连接所述第二二极管区的掺杂导电区以及第三二极管区的掺杂导电区。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：

导电插塞，所述导电插塞分别位于所述第二二极管区以及第三二极管区的掺杂导电区上；

电连接所述导电插塞的金属层，且所述金属层位于所述导电插塞与所述RRAM器件之间。

3.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述深沟槽隔离结构还电隔离所述第二二极管区的第一阱区与所述第三二极管区的第二阱区，且还电隔离所述第二二极管区的掺杂导电区与所述第三二极管区的掺杂导电区。

4.如权利要求1或3所述的存储单元，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：位于基底内的N型深阱区，且所述N型深阱区位于所述第一阱区以及第二阱区下方，其中，所述深沟槽隔离结构底部低于所述N型深阱区底部。

6.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一阱区的掺杂类型为N型或者P型；所述第二阱区的掺杂类型为N型或者P型；所述掺杂导电区的掺杂类型为N型或者P型。

7.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一阱区的掺杂类型与位于所述第一阱区上方的掺杂导电区的掺杂类型不同；所述第二阱区的掺杂类型与位于所述第二阱区上方的掺杂导电区的掺杂类型不同。

8.一种存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括沿行方向依次排列的第一二极管区、第二二极管区、第三二极管区以及第四二极管区；

在所述第一二极管区以及第二二极管区的基底内形成第一阱区；

在所述第三二极管区以及第四二极管区的基底内形成第二阱区，且所述第二阱区的掺杂类型与所述第一阱区的掺杂类型不同；

在所述第一阱区以及第二阱区上形成掺杂导电区；

在所述基底内形成深沟槽隔离结构，且所述深沟槽隔离结构电隔离所述第一二极管区的第一阱区与所述第二二极管区的第一阱区，电隔离所述第三二极管区的第二阱区与所述第四二极管区的第二阱区，电隔离所述第一二极管区的掺杂导电区与所述第二二极管区的掺杂导电区，电隔离所述第三二极管区与所述第四二极管区的掺杂导电区；

在所述基底上方形成RRAM器件，所述RRAM器件电连接所述第二二极管区的掺杂导电区以及第三二极管区的掺杂导电区。

9.如权利要求8所述的存储单元的形成方法，其特征在于，先形成所述第一阱区以及第二阱区，后形成所述深沟槽隔离结构；或者，先形成所述深沟槽隔离结构，后形成所述第一阱区以及第二阱区。

10.如权利要求8所述的存储单元的形成方法，其特征在于，所述存储单元还包括：位于基底内的N型深阱区，且所述N型深阱区位于所述第一阱区以及第二阱区下方；

在形成所述第一阱区以及第二阱区之前，还包括：在所述基底内形成N型深阱区。