[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710167748.4 申请日: 2017-03-20
公开(公告)号: CN106876415B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 楼均辉 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明描述了一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板和设置在所述基板上的薄膜晶体管;其中薄膜晶体管还包括依次覆盖在数据线上的有源层图案和刻蚀阻挡层图案;第一绝缘层,覆盖所述刻蚀阻挡层;导电层,设置在第一绝缘层上,并通过设置在所述第一绝缘层和所述刻蚀阻挡层上的过孔与所述有源层连接;本发明还描述了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;设置在所述基板上相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线,及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元;设置在所述像素单元内的薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括:栅极,设置在所述基板上;栅极绝缘层,设置在所述栅极上;数据线,设置在所述栅极绝缘层上;有源层,包括彼此间隔的第一有源层图案和第二有源层图案,所述第一有源层图案设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极重叠,所述第二有源层图案设置在至少部分所述数据线上;刻蚀阻挡层,包括彼此间隔的第一刻蚀阻挡层图案和第二刻蚀阻挡层图案,所述第一刻蚀阻挡层图案对应覆盖所述第一有源层图案,所述第二刻蚀阻挡层图案对应覆盖所述第二有源层图案;第一绝缘层,设置在所述刻蚀阻挡层上;第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第一刻蚀阻挡层图案和所述第一绝缘层,并暴露至少部分所述第一有源层图案,所述第一过孔暴露所述薄膜晶体管的源极或者漏极中的一者;第二过孔,所述第二过孔贯穿所述第二刻蚀阻挡层图案和所述第一绝缘层,并暴露至少部分所述第二有源层图案;导电层,设置在所述第一绝缘层上,所述导电层一部分填充所述第一过孔与所述第一有源层图案接触,另一部分填充所述第二过孔与所述第二有源层图案接触,所述导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔实现所述第一有源层图案与所述第二有源层图案电连接。
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