[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的飞速进步，平面显示装置也随之有了飞跃性的进步，渐渐进入人们的生活。现有技术中，平面显示器从驱动方式分为有源矩阵显示器和无源矩阵显示器。有源矩阵显示器和无源矩阵显示器的区别在于有源矩阵显示器中设置有有源元件，通常有源元件为薄膜品体管。有源矩阵显示器通过薄膜品体管控制每一像素的工作。

现有技术中，将薄膜晶体管制作到基板的过程中，由于半导体有源层易受损伤，会在半导体有源层上方制作一层刻蚀阻挡层ESL来保护半导体有源层，然后制作数据线，再进行绝缘层成膜并刻孔，形成多个暴露数据线和半导体有源层的过孔。数据线和半导体有源层通过绝缘层上的过孔用ITO跨桥进行连接。但是在图案化绝缘层形成过孔时，会对数据线产生大量过刻的问题，从而导致不良产生。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；设置在所述基板上相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元；设置在所述像素单元内的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括：

栅极，设置在所述基板上；

栅极绝缘层，设置在所述栅极上；

数据线，设置在所述栅极绝缘层上；

有源层，包括彼此间隔的第一有源层图案和第二有源层图案，所述第一有源层图案设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极重叠，所述第二有源层图案设置在至少部分所述数据线上；

刻蚀阻挡层，包括彼此间隔的第一刻蚀阻挡层图案和第二刻蚀阻挡层图案，所述第一刻蚀阻挡层图案对应覆盖所述第一有源层图案，所述第二刻蚀阻挡层图案对应覆盖所述第二有源层图案；

第一绝缘层，设置在所述刻蚀阻挡层上；

第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一刻蚀阻挡层图案和所述第一绝缘层，并暴露至少部分所述第一有源层图案；

第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第二刻蚀阻挡层图案和所述第一绝缘层，并暴露至少部分所述第二有源层图案；

导电层，设置在所述第一绝缘层上，所述导电层一部分填充所述第一过孔与所述第一有源层图案接触，另一部分填充所述第二过孔与所述第二有源层图案接触，所述导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔实现所述第一有源层图案与所述第二有源层图案电连接。

本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层，形成栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层；

形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成数据线；

形成有源层和覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层；图案化所述刻蚀阻挡层和所述有源层，形成覆盖所述栅极绝缘层并与所述栅极重叠的第一有源层图案和覆盖至少部分所述数据线的第二有源层图案，以及覆盖所述第一有源层图案的第一刻蚀阻挡层图案和覆盖所述第二有源层图案的第二刻蚀阻挡层图案；

形成覆盖所述刻蚀阻挡层、第二金属层及栅极绝缘层的第一绝缘层；图案化所述第一绝缘层和所述第一刻蚀阻挡层图案，形成第一过孔，所述第一过孔暴露至少部分所述第一有源层图案；图案化所述第一绝缘层和所述第二刻蚀阻挡层图案，形成第二过孔，所述第二过暴露至少部分所述第二有源层图案；

在所述第一绝缘层上形成导电层，图案化所述导电层，使所述导电层一部分填充所述第一过孔与所述第一有源层图案接触，另一部分填充所述第二过孔与所述第二有源层图案接触所述导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔实现所述第一有源层图案与所述第二有源层图案电连接。

与现有技术相比，本发明避免了在对绝缘层刻孔时数据线过刻的问题。且通过本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，可以完全避免在对数据线刻蚀时刻蚀药液或者刻蚀气体对未被刻蚀阻挡层保护的有源层的影响。

附图说明

图1是现有技术中薄膜晶体管的制作流程示意图；

图2是本发明一种实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的局部示意图；

图3是图2中本发明一种实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的沿A-A方向的截面图；

图4到图9是本发明一种实施例提供的薄膜晶体管阵列基板制作过程中的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。