[发明专利]一种阻变薄膜存储器及其制备方法

摘要

本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种阻变薄膜存储器及其制备方法。本发明通过控制离子注入的区域进而在与光刻掩膜一致的图形范围内引入缺陷，将在阻变行为中起关键作用的导电细丝的生长控制在预定范围内，从而大大提高阻变单元阻变性能的可控性和不同阻变单元之间性能的一致性。而且离子注入区域的形状、大小、数量和位置均可调控，以便在未注入区域实现其它功能。本发明可以很好地调控阻变单元的性能，提升阻变单元阻变的性能，同时提高同一薄膜上不同阻变单元的一致性，可以制备出性能优越可控、制作工艺简单、一致性好的具有广泛应用性的导电细丝型阻变存储器。

主权项

一种阻变薄膜存储器，从下至上依次包括基片、下电极、氧化物薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化物薄膜中位于上电极的正下方有离子注入，离子注入的水平投影不超出上电极范围，离子注入的深度h有0＜h≤H，H为氧化物薄膜的总厚度。